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压电半导体工艺技术生产加工方法-利来国际登录

发布时间:2020-07-12   作者:admin   浏览次数:135

1 一种基于热效应的压电半导体材料的开关 
   简介:本技术提供一种基于热效应的压电半导体材料的开关,该开关包括衬底层和压电半导体材料层以及位于压电半导体材料层两端的两个电极,所述的压电半导体材料为具有热释电效应的压电半导体材料;所述的压电半导体材料层为纤维杆,沿着纤维长度方向局部受热后,由于热弹性、热释电效应和压电效应的耦合,使得所述的压电半导体材料层的局部产生电极化,驱使材料内的载流子重分布,形成势垒和势井。本技术提出的基于热效应的压电半导体材料的开关,仅用一种材料即可达到由现有的两种异质材料形成的pn结的调控电流效果,且该开关除了具备现有的第三代半导体材料的特性外,还可以通过温度调控来改变内部的势垒和势井,从而改变相应的特性。
2 基准电压电路以及半导体装置 
   简介:本技术涉及基准电压电路以及半导体装置。一种基准电压电路,具有串联连接的耗尽型mos晶体管和增强型mos晶体管,并从增强型mos晶体管的漏极输出基准电压,耗尽型mos晶体管和增强型mos晶体管的栅极被共同连接在一起,其中,耗尽型mos晶体管至少具有串联连接的第一耗尽型mos晶体管和第二耗尽型mos晶体管,该基准电压电路具有电容器,该电容器的一端与第一耗尽型mos晶体管的漏极连接,另一端与第一耗尽型mos晶体管的源极连接。
3 一种半导体传感器高压电路 
   简介:本技术提出一种半导体传感器高压电路,包括直流脉冲pmw模块,自举高压电路,倍压电路和电阻分压反馈电路;所述直流脉冲pmw模块,调整输入电源的电压幅值大小和周期占宽比,并产生一个闭环控制的直流脉冲pmw信号输出至自举高压电路;所述自举高压电路,将所述直流脉冲pmw信号调制成自举高压信号输出至倍压电路;倍压电路,用于将自举高压信号放大若干倍后形成高压信号,一路直接输出,另一路输入所述电阻分压反馈电路;所述电阻分压反馈电路,对高压信号进行电阻分压,输出反馈电压给直流脉冲pmw模块。本技术可由单节锂电池供电;功耗低,器件功耗小于5mw,输出电流可达1ua,满足大面积多像素si半导体传感器高压需求。
4 基于太阳能与压电能的半导体式冷热水制取装置及方法 
   简介:本技术提供了基于太阳能与压电能的半导体式冷热水制取装置及方法,包括制水装置及控制电路,使常温饮用水经过半导体制冷片热端吸收热量成为热水a,再经过太阳能集热器盘管吸收太阳能成为热水b进入热水集水器,当热水集水器中热水的温度满足设定要求时,作为饮用热水的供水排出。否则,启动热水集水器中的电加热丝加热,直到热水集水器中的热水温度满足设定要求时,作为饮用热水的供水排出;或使常温饮用水通过另一管路经过半导体制冷片冷端,放出热量成为冷水,作为饮用冷水的供水排出,半导体制冷片的电源、电加热丝的电源、温度控制器的电源均来自太阳能发电模块或压电能收集模块。本技术取代了对电网电路的依赖,实现了太阳能、振动能的利用,提高了半导体冷热两端热量的利用率,能够达到节能环保的效果。
5 稳压电路、半导体装置以及电源装置 
   简介:本技术提供稳压电路、半导体装置以及电源装置。即使环境温度变化也不易使电路振荡或使输出电压产生振铃。该稳压电路具备:连接在被输入直流电压的电压输入端子与输出端子间的输出控制用晶体管;及包括根据输出的反馈电压控制输出控制用晶体管的误差放大电路的控制电路,误差放大电路具备:差动输入级,其具有一对输入mos晶体管及使电流流过这些mos晶体管的电流源;输出级,其具有电流源及与其串联的mos晶体管,且能放大差动输入级的一方的输出节点的电位;及电流增减电路,其能增减差动输入级的电流或者输出级的电流,电流增减电路具备具有温度特性的元件,且构成为能根据该元件的温度特性对差动输入级的电流或者输出级的电流进行增减。
6 基准电压电路及半导体装置 
   简介:基准电压电路及半导体装置。在基准电压电路中,由多个晶体管构成耗尽型晶体管和/或增强型晶体管,将耗尽型晶体管和增强型晶体管配置在共质心(公共重心),避免了半导体装置的树脂密封等的应力引起特性变动的影响,并且产品差异少。
7 具有电阻分压电路的半导体装置 
   简介:本技术提供具有电阻分压电路的半导体装置,n型多晶硅和p型多晶硅相对于应力显示出相反方向的偏移量,因此若电阻分压电路的所有电阻是将n型多晶硅和p型多晶硅交替配置并并联或串联连接而构成的,则利用各个电阻本身将安装时从树脂受到的应力消除,因此能够制成比以往降低安装时的分压比变动的电阻分压电路。
8 高压电平位移电路及半导体器件 
   简介:本技术提供一种高压电平位移电路及半导体器件。该高压电平位移电路包括:电平转换电路,用于将具有第一高电平的输入信号转换成具有第二高电平的输出信号;第一开关,所述第一开关的一端与第一电源连接,所述第一开关的另一端与所述第一晶体管的控制端连接;第二开关,所述第二开关的一端与所述第一晶体管的控制端连接,所述第二开关的另一端与所述第一连接点连接;开关控制电路,分别与所述第一开关和所述第二开关连接,用于控制第一开关和第二开关不同时导通。本技术通过在电平转换电路中新增第一开关和第二开关,并通过开关控制电路控制第一开关和第二开关不同时导通,从而大大降低了高压电平位移电路在电压转换过程中会产生的静态电流。
9 一种负升压电路、半导体器件及电子装置 
   简介:本技术提供一种负升压电路、半导体器件及电子装置。该负升压电路包括主升压单元,配置为产生基本偏压信号;副升压单元,配置为与所述主升压单元并联连接,用于产生附加偏压信号,以与所述基本偏压信号共同形成所述负偏压;电压检测器,配置基于所述负升压电路输出端的电压产生作用于所述副升压单元的电压检测信号,所述电压检测信号使所述副升压单元产生所述附加偏压信号;其中,所述副升压单元的数量大于等于2,且每个所述副升压单元均对应设置有所述电压检测器。本技术的负升压电路可以降低vcc、温度和工艺对负偏压的影响,缩小各工作条件负偏压的差距。本技术的半导体器件和电子装置具有更好的读操作性能。
10 一种中高压电力电缆用半导体屏蔽层胶料的配方技术 
   简介:本技术提供了一种中高压电力电缆用半导体屏蔽层胶料的配方技术,本技术基料是采用部分csm橡胶代替eva,在半导电屏蔽胶料中引入卤族元素,从而提高半导电屏蔽胶料的导电性,本技术采用掺杂碳纳米管和氧化铟锡复合导电凹凸棒土作为替代炭黑的导电填料,一方面其高电导率可以降低eva/csm半导电屏蔽复合材料的体积电阻率,另一方面其在高分子基体中形成的特殊导电网络在热膨胀过程中更不容易被破坏,这种更加稳定的导电网络使得eva/csm半导电屏蔽复合材料的体积电阻率在变温下的稳定性增强,大大延长了中高压电力电缆的使用寿命。
11 一种压电半导体薄膜极化实验装置
12 基于压电效应和半导体制冷的降噪降温装置和方法
13 一种半导体压电纳米线疲劳极限测量装置及方法
14 振荡电路、升压电路及半导体装置
15 具有升压部的半导体装置以及升压电路
16 压电陶瓷及压电半导体试件多样性极化实验系统
17 一种压电半导体断裂失效的多场耦合加载实验装置
18 基于极化方向改变的压电半导体断裂失效实验研究方法
19 压电半导体多场耦合断裂失效实验研究方法
20 一种半导体器件温度?电压?电流三维校温曲面的建立方法
21 一种负升压电路、半导体器件及电子装置
22 超高压电阻器、半导体器件及其制造方法
23 应用半导体涂覆的高压电缆头制作方法
24 升压电路、半导体装置、以及升压电路的控制方法
25 一种压电调制垂直腔半导体激光器结构
26 半导体装置、分压电路、电压调节器及快闪存储器
27 利用基于纳米压电半导体材料的纳米发电机进行气体探测的方法
28 具有稳压电路的半导体集成电路
29 半导体装置以及半导体装置的升压电路的异常诊断方法
30 高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法
31 分压电路以及半导体装置
32 半导体集成电路以及具备该半导体集成电路的升压电路
33 一种逆压电纳米半导体发电机
34 具有基于掺杂半导体金属接触的偏压电极的用于减轻dc偏压漂移的光电调制器
35 一种高电压电流金属氧化物半导体电路结构
36 半导体装置与分压电路
37 降压电路、半导体器件以及降压电路控制方法
38 偏压电路和具有该偏压电路的半导体集成电路
39 一种半导体器件及其提供的低压电源的应用
40 电压电平移位电路和半导体集成电路
41 带有电荷泵升压电路的半导体器件
42 升压电路以及具有升压电路的半导体装置
43 包含电荷泵型升压电路的半导体器件
44 半导体装置以及升压电路
45 恒压电路,设有该电路的半导体装置及恒压电路控制方法
46 电压电平变换电路及半导体集成电路装置
47 恒压电路、使用其的半导体器件、和恒压输出方法
48 半导体集成电路、升压电路
49 升压电路、半导体装置以及电子设备
50 升压电路和具有升压电路的半导体装置
51 升压电路以及半导体集成电路
52 电压箝位电路、开关式电源器件、半导体集成电路器件和电压电平转换电路
53 半导体器件及分压电路
54 半导体器件及分压电路
55 半导体器件及分压电路
56 升压电路、半导体装置及显示装置
57 升压电路、半导体装置及显示装置
58 升压电路、半导体装置及显示装置
59 降压电路、电源电路及半导体集成电路
60 升压电路和含有这种升压电路的非易失性半导体存储器件
61 强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件
62 在半导体si基片上沉积纳米cu颗粒膜的高压电化学方法
63 无需击穿电压为电源电压两倍的晶体管的半导体升压电路
64 振荡电路、升压电路、非易失性存储器件以及半导体装置
65 具有将电源电压转换为工作电压的降压电路的半导体装置
66 单片半导体压电器件结构和电-声电荷传送器件
67 内部电压电平控制电路和半导体存储装置以及其控制方法
68 陶瓷膜及其制造方法和半导体装置及压电元件
69 陶瓷膜及其制造方法和半导体装置及压电元件
70 陶瓷的制造方法及其制造设备以及半导体器件和压电元件
71 半导体器件的升压电路
72 半导体器件的升压电路
73 用于低压电源的半导体装置
74 具有恒压电路的半导体存储器
75 用于半导体存储器器件工作状态的升压电路
76 半导体存储器件的增压电路
77 能预激励的升压电路器件和半导体存储器
78 感测半导体存储器件反偏压电平的电路
79 用于互补金属氧化物场效应晶体管半导体动态存贮器的字线升压电路
80 半导体三极管发射结反向过电压保护电路和有保护能力的可调直流稳压电源
 
  以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费260元,购买或咨询更多相关技术内容可联系:微信/电话:13510921263

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