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氧化铟锡加工工艺生产制造制作方法-利来国际登录

发布时间:2021-11-29   作者:admin   浏览次数:200

1、一种利用ito废料制备氧化铟粉和氧化铟锡粉的方法
 [简介]:本技术涉及一种利用ito废料制备氧化铟粉和氧化铟锡粉的方法,该方法将收集的ito废料进行干燥去除水分,然后进行煅烧,去除有机物,将所得物料用盐酸溶解,然后过滤得到溶液,再利用氯化铟在300℃即可挥发的原理,将所得溶液进行多次蒸馏,得到氯化铟,然后再以氯化铟为原料,采用沉淀法,制备氧化铟粉和氧化铟锡粉。本技术由ito靶材生产过程中产生的废料制得氯化铟,不仅节约了成本,进行了废物利用,同时较传统的废料再利用,略去将废料转化成精铟的步骤,由废料直接制备出金属盐,再制备粉,能有效减少回收成本,进一步降低了生产成本。
2、一种氧化铟锡薄膜热处理及其评价方法
 [简介]:本技术提供了一种氧化铟锡薄膜热处理方法,使用真空管式高温烧结炉直接对氧化铟锡薄膜进行热处理,操作简单,实验误差小。本技术人对热处理后氧化铟锡薄膜的透光率和热稳定性做了客观而全面的评价,具体通过紫外?可见?近红外分光光度计检测低温热处理下氧化铟锡薄膜的透光率,发现热处理后的氧化铟锡薄膜在低温下透光率基本稳定。而后,又通过xps测定进行了进一步的拟合分析,通过oⅱ/oⅰ峰的面积比得出氧空位的数量基本恒定,从而证明氧化铟锡薄膜在低温下透光率基本稳定的结论,为探究氧化铟锡薄膜的光电性能提供了思路。
3、一种制备多孔空心球状氧化铟锡粉体的方法
 [简介]:本技术提供了一种制备多孔空心球状氧化铟锡粉体的方法,其特征是以花粉为模板,柠檬酸钠为形貌控制剂辅助共沉淀法来制备多孔空心球状的氧化铟锡粉体,采用本技术方法制备的氧化铟锡粉体为微米级多孔空心球。由于采用花粉作为模板,所得到的微球粉体粒径均匀且分散性良好,颗粒尺寸约为20μm;柠檬酸钠作为形貌控制剂,使得氧化铟锡微球表面形成了大量纳米小球,有利于增大其表面积。该配方技术工艺简单,操作方便,对设备要求低,所用的添加剂绿色无毒。
4、制备晶面择优取向氧化铟锡-氧化铟锌薄膜热电偶的方法
 [简介]:本技术涉及制备晶面择优取向氧化铟锡-氧化铟锌薄膜热电偶的方法,所述金属表面为曲面,包括如下步骤:步骤1、通过物理气相沉积工艺在金属工件表面沉积钇稳定的氧化锆(ysz)结合涂层,将钇稳定的氧化锆(ysz)粉末和al2o3粉末通过物理气相沉积工艺沉积到金属工件表面,沉积厚度为不超过3μm;所述al2o3粉末与钇稳定的氧化锆(ysz)粉末的摩尔百分比在0.03以上,保证所述结合涂层为绝缘涂层;步骤2、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备晶面择优取向的薄膜热电偶,所述薄膜热电偶包括两个热电臂和两个电极;热电臂之一为氧化铟锡靶沉积而成;热电臂另一为氧化铟锌靶沉积而成,所述电极为铂靶和铱靶共溅射沉积而成;步骤3、具有所述薄膜热电偶的金属工件进行热处理,以释放材料界面之间的应力;步骤4、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备保护层,所述保护层为al2o3材质,使得保护层覆盖所述的两个热电臂。本技术采用在高温合金基底上沉积一层绝缘的结合涂层,后在结合涂层上直接沉积具有择优晶面取向的氧化铟锡和氧化铟薄膜热电偶,实现在金属表面快速沉积具有择优晶面取向的薄膜热电偶,对薄膜热电偶的稳定测温具有重要意义。
5、一种基于颗粒级配堆积模型制备氧化铟锡靶材的方法
 [简介]:本技术提供了一种基于颗粒级配堆积模型制备氧化铟锡靶材的方法。其特征如下:采用三元和二元颗粒级配堆积模型研究ito颗粒的堆积过程,三元颗粒级配堆积模型中三种球形颗粒的粒径之比满足关系三种球形粉体颗粒数之比为1:(1~2):(1~2);二元颗粒级配堆积模型中两种球形颗粒的粒径之比满足关系或者两种球形粉体颗粒数之比为1:(1~6)。分散剂聚乙烯吡咯烷酮和粘接剂聚乙烯醇的添加量分别为氧化铟锡复合粉体质量的0.1~3.5%。造粒粉体采用模压和冷等静压联合成型,然后烧结。本技术制得高密度和低电阻率ito靶材,制备工艺简单,设备简单,生产成本低。
6、一种基于氧化铟锡准周期结构的超材料吸收器
 [简介]:本技术提供了一种基于氧化铟锡准周期结构的超材料吸收器,该超材料吸收器由基片及镀制于基片上的准周期结构薄膜组成,所述准周期结构薄膜的膜系机构为:基底/bababbababbabbababbab/air,其中a表示厚度为87nm的氧化铟锡薄膜,b表示厚度为220nm的氧化铪薄膜,该超材料吸收器在300?1000nm的波长范围内实现高达96%的平均吸收率。本技术提出了一种基底无关且对应用环境具有良好适应性的吸收器,该吸收器在较宽的入射角以及不同偏振情况下依然能够保持宽带光谱吸收性能。
7、一种氧化铟锡粉及其配方技术
 [简介]:本技术提供了一种氧化铟锡粉及其配方技术。本技术所述配方技术包括如下步骤:s1:将金属铟和金属锡加入水中,然后添加硫酸加热溶解得到混合液;s2:将混合液蒸发结晶得到混合固体;s3:将混合固体、沉淀剂、溶剂和表面活性剂混合,进行水热反应后,离心、洗涤、烘干后得到氧化铟锡前驱体;s4:将氧化铟锡前驱体煅烧得到所述氧化铟锡粉。本技术使用金属铟和金属锡与硫酸反应,再经过蒸发结晶得到含结晶水的硫酸铟和硫酸亚锡混合固体作为制备氧化铟锡粉的原材料,一方面,可以保证原材料的纯度,进而提高氧化铟锡粉的纯度和收率;另一方面,避免使用含氯离子原材料因氯离子的腐蚀性,影响氧化铟锡粉的品质。
8、氧化铟锡纳米线及其配方技术和薄膜晶体管
 [简介]:本技术提供了一种氧化铟锡纳米线及其配方技术和薄膜晶体管。所述氧化铟锡纳米线的配方技术包括如下步骤有:提供介孔分子模板,所述介孔分子模板含有纳米线形介孔;在惰性环境中,向所述介孔分子模板所含的所述纳米线形介孔中脉冲交替通入氧化铟锡反应源气体,在所述纳米线形介孔中原位原子层沉积氧化铟锡纳米线前驱体;将所述氧化铟锡纳米线前驱体进行退火处理,在所述纳米线形介孔中原位生成氧化铟锡纳米线;再除去所述介孔分子模板。所述氧化铟锡纳米线配方技术制备的氧化铟锡纳米线形介孔尺寸可控,长径比大,曲挠性优异,而且生成的氧化铟锡纳米线不会发生团聚。而且制备工艺易控,制备效率高,能够有效保证制备的氧化铟锡纳米线尺寸稳定。
9、制备晶面择优取向氧化铟锡-氧化铟薄膜热电偶的方法
 [简介]:本技术涉及制备晶面择优取向氧化铟锡-氧化铟薄膜热电偶的方法,所述金属表面为曲面,包括如下步骤:步骤1、通过物理气相沉积工艺在金属工件表面沉积钇稳定的氧化锆(ysz)结合涂层;步骤2、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备晶面择优取向的薄膜热电偶;步骤3、具有所述薄膜热电偶的金属工件进行热处理;步骤4、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备保护层。本技术的薄膜热电偶以牢固的结合涂层为沉积界面,与高温合金叶片的过渡界面较少,应力界面少,不容易脱落,且厚度薄,测温精度高。同时,能够在未抛光的结合涂层曲面上,克服应力,突破传统平面基底的限制,制备具有晶面择优取向的薄膜热电偶,使得薄膜热电偶具有较高的稳定性。
10、竹节状纳米氧化铟锡粉体的配方技术
 [简介]:本技术涉及纳米氧化铟锡粉体技术领域,尤其涉及一种竹节状纳米氧化铟锡粉体的配方技术,包括如下步骤:(1)采用碱性xx发成核控制剂一次性加入铟和锡化合物水溶液,使其xx发成核;(2)采用弱碱性沉淀剂滴定步骤(1)所述成核后的铟和锡化合物水溶液,使晶核成长,得到铟锡氧化物前驱体;(3)将所述铟锡氧化物前驱体洗涤,干燥;(4)干燥后的所述氧化铟锡前驱体在不同反应条件下分别得到竹节状黄绿色氧化铟锡粉体和竹节状蓝色氧化铟锡粉体。本技术的有益效果是:竹节状纳米氧化铟锡粉体具有更加优良的导电性能,合成工艺简单,反应周期短,适合工业化生产。
11、一种氧化铟锡薄膜图案的配方技术
12、一种氧化铟锡蒸镀靶材的配方技术
13、氧化铟锡膜层稳定化处理方法及设备
14、氧化铟锡钽靶材的配方技术
15、用于与焊盘的欧姆接触的氧化铟锡(ito)层的片上集成
16、ito靶材高纯纳米氧化铟锡粉体制造方法
17、基于近零介电常数氧化铟锡的可调双控光开关及使用方法
18、氧化铟锡层的蚀刻方法、芯片的制作方法
19、一种超级电容器用氧化锡锑/氧化钬/氧化铟锡复合电极材料及其配方技术
20、一种纳米氧化铟锡超隔热pvb中间膜材料及其配方技术
21、一种钯/聚苯胺/氧化铟锡复合电极及其配方技术及应用
22、一种石墨烯-氧化铟锡纳米纤维复合三维体块的配方技术
23、不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物
24、一种基于氧化铟锡薄膜与硅纳米颗粒阵列复合结构的全光开关及其配方技术
25、一种ito刻蚀废液中氧化铟锡和废酸的回收方法
26、一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器复合结构及其配方技术
27、一种柔性氧化铟锡透明导电薄膜卷对卷湿法刻蚀及图案化的方法
28、一种用于处理氧化铟锡电极表面的简单高效的方法
29、一种环形氧化铟锡电极的石英晶体微天平
30、一种硫化铅敏化氧化铟锡光电*极的简单配方技术
31、一种修饰氧化铟锡电极表面的方法
32、一种氧化铟锡刻蚀废液处理装置
33、氧化铟锡靶材的超低温配方技术
34、氧化铟锡膜层结构的触摸屏及终端设备
35、一种检测氧化铟锡薄膜关键尺寸的装置
36、一种稀土掺杂纳米氧化铟锡红外隐身涂层
37、低电阻率氧化铟锡靶材的配方技术
38、一种用于回收废弃彩色滤光片中氧化铟锡的装置
39、低结瘤氧化铟锡靶材的配方技术
40、一种高密度氧化铟锡管状靶材的脱脂烧结一体化配方技术
41、氧化铟锡靶材的配方技术
42、四氧化三钴纳米片/氧化铟锡电极电化学检测pb(ii)的方法
43、一种氧化铟锡透明隔热涂料的配方技术
44、一种氧化铟锡靶材的短流程烧结工艺
45、一种调控氧化铟锡表面能与功函数的含氟自组装单层膜及配方技术
46、树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备
47、树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极应用于电化学识别色氨酸对映体
48、一种氧化铟锡旋转靶材的烧结方法
49、一种纳米氧化铟锡隔热玻璃涂料的配方技术
50、一种氧化铟锡烧结体的短流程制备工艺
51、采用氧化铟锡作为插入层的反射镜及其配方技术
52、一种氧化铟锡纳米粉体的配方技术
53、一种氧化铟锡复合粉体的配方技术
54、一种超细氧化铟锡粉加工工艺
55、一种从氧化铟锡回收无水铟盐和无水锡盐的方法
56、一种高纯、高烧结活性氧化铟锡混合粉体的配方技术
57、基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器
58、一种重复激光熔覆制备高密度氧化铟锡靶材的方法
59、一种修饰氧化铟锡阳极
60、纳米级氧化铟锡粉体的共沉淀配方技术
61、氧化铟锡薄膜及其配方技术、含其的阵列基板、显示装置
62、一种氧化铟锡改性高分散透光红外硫化锌的配方技术
63、一种氧化铟锡改性硫化锌导电材料的配方技术
64、一种修饰氧化铟锡阳极的配方技术
65、非晶氧化铟锡薄膜的配方技术
66、一种修饰氧化铟锡阳极
67、一种有序硅纳米孔道薄膜/氧化铟锡电极电化学检测铅离子的方法
68、水性聚氨酯基氧化铟锡蚀刻油墨的配方技术
69、具有多聚氨基酸复合氧化铟锡纳米结构的宽光谱光探测器
70、一种氧化铟锡包覆的二氧化钛纳米纤维的配方技术
71、一种氧化铟锡导电玻璃上图案化磷脂膜阵列的配方技术
72、高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的配方技术
73、一种纳米级氧化铟锡粉末的配方技术
74、一种具有形状记忆效应的无氧化铟锡柔性有机发光二极管的配方技术
75、一种氧化铟锡粉末的配方技术
76、基于石墨烯与氧化铟锡薄膜的透明电磁屏蔽盒
77、一种降低氧化铟锡/金属电极对有机激光增益层产生的光损耗的方法
78、一种具有形状记忆效应的无氧化铟锡聚合物太阳能电池的配方技术
79、氧化铟锡电化学发光反应电极的再生清洗方法
80、一种膜电容器用掺混纳米氧化铟锡的高介电聚丙烯基复合介电薄膜及其配方技术
81、一种掺混纳米氧化铟锡的高导电性电机碳刷材料及其配方技术
82、氧化铟锡镀膜方法
83、一种掺杂氧化铟锡秸秆基炭复合电极材料及其配方技术
84、一种纳米二氧化硅液体改性氧化铟锡制备高透明聚酯薄膜的方法
85、氧化铟锡电化学发光反应电极的修饰方法
86、氧化铟锡图案化装置及图案化方法
87、一种多级氧化铟锡纳米线阵列复合材料及其配方技术与在太阳能电池中的应用
88、一种氧化铟锡膜手持式探头测试装置及其方法
89、氧化铟锡材料化学成分标准物质的配方技术
90、一种高性能透明导电氧化铟锡纳米晶墨水及其配方技术
91、一种蓝色纳米氧化铟锡粉体的配方技术
92、一种低成本制作单层氧化铟锡膜材互电容触摸屏功能片的方法
93、选择性氧化铟锡蚀刻液
94、氧化铟锡低温沉积方法及系统
95、双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线
96、一种窗口层覆盖有氧化铟锡的反极性algainp发光二极管结构
97、氧化铟锡低温镀膜方法
98、氧化铟锡靶材以及其烧结配方技术
99、氧化铟锡/富勒烯/二氧化钛纳米管复合材料的配方技术
100、低温沉积柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的配方技术
101、氧化铟锡层的形成
102、制备纳米纤维和纳米八面体双级结构的氧化铟锡的方法
103、氧化铟锡粉末
104、一种尺寸可控的单分散氧化铟锡纳米晶的配方技术、产品及应用
105、一种修饰氧化铟锡阳极的配方技术
106、一种制备双晶氧化铟锡纳米线的方法
107、用于氧化铟锡层的涂层
108、一种氧化铟锡纳米颗粒粉体的低温固相配方技术
109、通过锡和锌共掺杂制备低铟含量氧化铟锡薄膜的方法
110、一种制备新型导电氧化铟锡材料及其薄膜的方法
111、一种氧化铟锡纳米晶的配方技术
112、一种氧化铟锡纳米线阵列复合材料及其配方技术与在太阳能电池中的应用
113、氧化铟锡图案曝光装置
114、一种修饰氧化铟锡阳极
115、一种镀铜氧化铟锡膜蚀刻工艺
116、一种氧化铟锡包覆的二氧化钛纳米纤维
117、制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法
118、用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏
119、一种制备导电氧化铟锡锌薄膜的方法
120、一种氧化铟锡包覆的二氧化钛纳米纤维的配方技术
121、彩色滤光片基板及其氧化铟锡薄膜图案结构、制作方法、液晶显示器
122、一种氧化铟锡旋转靶材的配方技术
123、一种修饰氧化铟锡阳极的配方技术
124、一种基于金纳米颗粒修饰氧化铟锡电极的用于三聚氰胺检测的新型电化学传感器配方技术
125、电容屏触控面板及其间隙部分氧化铟锡薄膜的刻蚀方法
126、一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的配方技术
127、氧化铟锡化合物及其配方技术与光催化应用
128、一种氧化铟锡薄膜的处理工艺
129、电阻式触摸屏用氧化铟锡膜及其配方技术和制备设备
130、利用电化学技术实现氧化铟锡表面快速腐蚀和图案化的方法
131、一种制备有序介孔氧化铟锡材料的方法
132、一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法
133、氧化铟锡纳米纤维/硫化镉量子点太阳能电池及其配方技术
134、一种纳米级氧化铟锡粉末的配方技术
135、一种氧化铟锡纳米涂层的配方技术
136、一种利用氧化铟锡纳米颗粒增效的近红外光电探测器
137、一种镀氧化铟锡的涤纶异形纤维的生产方法
138、氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法
139、一种纳米氧化铟锡粉的配方技术
140、氧化铟锡的回收方法
141、氧化铟锡膜及其制作方法
142、一种高密度氧化铟锡靶材的配方技术
143、氧化铟锡溅射靶和使用该溅射靶制备的透明导电膜
144、改善液晶显示产品氧化铟锡膜表面形貌的方法
145、氧化铟锡靶材浆料的配方技术
146、一种在氧化铟锡玻璃基板上形成铬铝铬金属走线的方法
147、一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法
148、氧化铟锡层的形成
149、氧化铟锡单分散纳米粉体的低温溶剂热配方技术
150、氧化铟锡透明导电薄膜的配方技术
151、氧化铟锡立体电极及制法及制备装置及太阳能电池制法
152、氧化铟锡粉末及其分散体
153、氧化铟锡电子束光刻胶的合成方法和使用其形成氧化铟锡图案的方法
154、一种在柔性基材上制备氧化铟锡导电膜的生产工艺
155、柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法
156、一种氧化铟锡靶材的生产方法
157、用于氧化铟锡表面的化学机械抛光的组合物及方法
158、氧化铟锡超细粉体的低温配方技术
159、图案化氧化铟锡薄膜的方法
160、一种液相共沉淀生产超细氧化铟锡粉体的方法
161、具有氧化铟锡层的发光二极管及其制造方法
162、一种形成用于可精密切割和对齐的液晶显示器面板的方法
163、氧化铟锡透明导电玻璃及其生产工艺
164、表面改性的氧化铟锡
165、纳米级氧化铟锡复合粉体的配方技术
166、热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法
167、一种氧化铟锡专用银浆料及其制造方法
168、在红外波段具有低发射率的氧化铟锡粉末及其配方技术
169、氧化铟锡粉末的配方技术
170、增进平坦化氧化铟锡薄膜的方法
171、使集成电路可承受高压静电放电的氧化铟锡走线方法
172、以水溶液法制备氧化铟锡粉末的方法
173、氧化铟锡膜用浸蚀液
174、金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其配方技术
 
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