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抛光片加工工艺生产制造方法-利来国际登录

发布时间:2021-10-07   作者:admin   浏览次数:56

1、一种iii-v族半导体抛光片封装专用聚丙烯材料及其配方技术
 [简介]:本技术提供了一种iii?v族半导体抛光片封装专用聚丙烯材料及其配方技术,该材料由下述组分质量份制备而成:聚丙烯树脂65?90%;增强填充剂1?15%;增韧剂1?20%;抗氧剂0.2?0.5%;抗静电剂0.1?0.5%;聚苯胺0.01%?1%、有机胺盐0.01%?1%;本技术所得聚丙烯复合材料tvoc<100μgc/g,23℃下的悬臂梁缺口冲击强度10?36kj/m2,弯曲模量1000?2100mpa,230℃,2.16kg时的熔融指数10?40g/10min,该抛光片封装专用聚丙烯材料具有低成本、稳定性好、制备简单等优点,可应用于iii?v族半导体抛光片包装盒、器件的封装等用具的生产。
2、一种降低大直径抛光片成本的工艺
 [简介]:本技术提供了一种降低大直径抛光片成本的工艺,其实验工艺包括以下步骤:s1、首先选用直径为200mm的待抛光片,用e h自动分选仪将硅片按照1μm的厚度差进行分档,分选后装入抛光机专用pfa上料片篮,待抛面朝向片篮h面进行贴片作业,贴片过程中使用skyliquid?kw20163抛光蜡;s2、然后将贴完的硅片存储在陶瓷盘装载机上,等待抛光,在抛光机操作屏幕上设定抛光工艺,使硅片在加工过程中,满足产品的加工规范,保证较高的抛光良率,加工过程中,用千分表测量硅片厚度,调整粗抛机的中心压力,将抛光时粗抛大盘转速和中心轮转速进行实时调节,可将抛光去除速率控制在0.6?0.8μm/min,并且对抛光液流量进行实时调节,砂浆流量一方面会影响抛光的去除速率。
3、一种高精密金刚石抛光片的配方技术
 [简介]:一种高精密金刚石抛光片的配方技术,属于加工刀具技术领域,通过以下步骤实现:先对sic基体烧蚀形成阵列图案化图形,然后通过等离子体清洁基体表面,同时刻蚀形成光滑的锋利突起,最后再通过mpcvd法制备纳米金刚石抛光涂层,形成本技术专利由纳米金刚石包覆的尖锥阵列的高精密金刚石抛光片。该方法具有过程简单、可控性好、重复率高等优点,本技术的金刚石抛光片在精密部件抛光加工领域中,能满足部件抛光精度要求,提高加工效率,并延长抛光片的使用寿命。
4、用于氮化铝单晶抛光片(0001)面的极性面区分方法
 [简介]:本技术涉及一种用于氮化铝单晶抛光片(0001)面的极性面区分方法,将100份去离子水中加入5~10份乙胺、15~30份6508异丙醇酰胺,使溶液混合均匀;将盛有混合溶液的烧杯置于加热台上,加热至60~70℃,用塑料镊子夹持将表面清洗后的(0001)面氮化铝双面抛光片放入烧杯之中,保持晶片两个抛光面与混合溶液充分接触,静置5~10分钟后将氮化铝抛光片取出;用去离子水冲洗干净,观察晶片的正反两个表面,其中仍保持光滑的为al面,变粗糙的为n面。本技术的有益效果是:采用化学试剂腐蚀,并根据al面和n面在试剂作用下的不同变化区分极性面,是一种较为理想的方法。
5、一种硅抛光片碱腐蚀工艺
 [简介]:本技术提供了一种硅抛光片碱腐蚀工艺,顺次执行sc2药液、水洗槽、sc1?2药液、水洗槽、koh药液槽、qdr水洗槽、sc1?2药液、超声水洗槽药、溢流水洗槽、甩干工序处理;其中控制koh药液腐蚀时间为500±20s,koh药液槽滚轴转速为10?30转/min,koh流量为28±5l/min,用于控制硅片的ttv。本技术所述的硅抛光片碱腐蚀工艺通过改善碱腐蚀过程中工艺参数来控制碱腐蚀过程中koh对硅片的腐蚀速率,及koh在硅片表面残留药液,改善硅片碱腐蚀的ttv(表面平整度)以及表面外观。相对于现有工艺,本技术可以降低碱腐产品表面沾污,有效控制ttv(表面平整度),提高碱腐蚀产品的良率。
6、一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法
 [简介]:本技术提供了一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法,包括s1、将硅片置于粗抛机进行粗抛s2、将硅片置于中抛机进行中抛s3、将硅片置于精抛机进行精抛s4、抛光后进行初清洗s5、初清洗后进行最终清洗。本技术所述的硅片抛光采用的是化学机械抛光的方式,碱性抛光液对硅片有一定的腐蚀性,在中、精抛抛光过程结束及存放硅片的水槽使用界面活性剂,可以降低抛光液和水的氧化,从而降低氧化层的厚度,抛光后清洗采用低温低浓度的工艺方法,可以降低碱性清洗液对硅片的腐蚀氧化,同时通过新的sc?2工艺可以利用hf将残留的氧化层腐蚀掉,从而得到较低氧化层厚度的硅抛光片表面。
7、一种改善硅抛光片平整度的方法
 [简介]:本技术创造提供了一种改善硅抛光片平整度的方法,通过磨削改变硅片形貌,再通过低转速低压力高流量对硅片抛光,包括以下步骤:s1、待硅片腐蚀后对抛光面进行磨削,使硅片中部形成“碗状”凹陷;s2、采用抛光机对单晶硅晶片进行抛光;s3、对抛光后的单晶硅抛光片进行去蜡清洗。本技术创造所述的一种改善硅抛光片平整度的方法加工抛光后的硅片,测试其它参数指标,均要高于原始工艺水平,该检测结果表明,本工艺能实现高平整度硅抛光片的量产。
8、一种抛光片及其在轮式或带式抛光机上的应用
 [简介]:本技术提供一种抛光片及其在轮式或带式抛光机上的应用,抛光片表面形成凹部纹理或分散的盲孔,抛光片背面有粘贴区,该粘贴区有魔术贴的一个面或胶粘剂涂层,抛光片优选为皮革、塑料或橡胶片材,轮式抛光机的抛光轮柱面上或带式抛光机的传动带上有弹性缓冲胶层,该弹性缓冲胶层上有粘贴区,该粘贴区有与抛光片粘贴区相匹配的魔术贴另一面或胶粘剂粘贴面,抛光片通过粘贴区与弹性缓冲胶层贴合,可避免现有采用抛光布出现纤维断裂散落造成的环境污染,可局部简易地对磨损的抛光片进行更换。
9、一种igbt用硅衬底抛光片的配方技术
 [简介]:本技术提供了一种igbt用硅衬底抛光片的配方技术。该方法依次包括以下工序:硅单晶生长→晶体检测→滚磨→多线切割→倒角→双面研磨→化学腐蚀→poly薄膜生长→中间检测→化学机械抛光→清洗→出厂检验,其中,在拉晶过程中采用水平磁场,磁场强度为1000?5000高斯,磁场形状为马鞍形,晶转为5?15rpm,埚转为0.1?3rpm,晶体生长时控制液面位置波动范围为±0.5mm;在倒角工序中,分别使用1000#倒角轮倒角2次,3000#倒角轮倒角2次,最终倒角幅长控制在500?700μm;在poly薄膜生长工序中,载具转速为0.5?3rpm,lpcvd的工艺温度区间为600?630℃,lpcvd的气体流量区间为50?200ml/min。采用本技术能够获得晶体微缺陷极少、几何参数高度精密的igbt用8英寸硅衬底抛光片。
10、一种降低8英寸抛光片去边吸盘印缺陷率的工艺
 [简介]:本技术提供了一种降低8英寸抛光片去边吸盘印缺陷率的工艺,其实验工艺包括以下步骤:s1、首先将原有的自动去边机台管路进行实时改造,将原有的b线排液管路的出液端进行独立出来,使b线排液管路直接与二次配管路进行连接,并且使a线排液管路与汇合管路进行连接,使汇合管路的出液端与二次配管路进行连接;s2、然后将大小厚度合适的8寸直拉酸腐硅片,放置添加到自动去边机台的吸盘上载位,机台开启供给氢氟酸、去离子水,然后通过自动去边机对8寸直拉酸腐硅片进行边缘二氧化硅腐蚀加工,当边缘二氧化硅腐蚀加工完成后,先通过自动去边机台管路将纯水导出进行实时冲洗硅片表面的杂质,冲洗后取下8寸直拉酸腐硅片。
11、一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法
12、一种改善8英寸抛光片背封药液不良的方法
13、一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法
14、一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺
15、一种复杂曲面零件专用精密研磨抛光片及其3d打印配方技术
16、一种锗单晶单面抛光片的清洗工艺
17、一种pva抛光片
18、一种无胶抛光片的配方技术
19、一种用于降低硅基背封抛光片应力的方法
20、一种降低硅抛光片表面产生时间雾的方法
21、一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片配方技术
22、一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法
23、一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法
24、一种ic类抛光片缺陷检验方法
25、一种12英寸硅抛光片加工的工艺方法
26、具有优异使用寿命的抛光片及其配方技术
27、一种具有优异使用寿命的抛光片及其配方技术
28、一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺
29、一种抛光片及其配方技术
30、抗老化抛光片及其配方技术
31、一种pva抛光片及其配方技术
32、聚氨酯基体石材研磨抛光片及其配方技术
33、一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法
34、一种降低硅抛光片正面边缘损伤的方法
35、一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法
36、一种单晶硅抛光片的清洗方法
37、一种贴硅抛光片模板的方法
38、一种绿色固定磨料抛光片及其配方技术
39、一种单晶硅抛光片清洗机用兼容式甩干盒芯
40、锗单晶抛光片的清洗方法
41、聚氨酯基体石材研磨抛光片的配方技术
42、一种降低硅抛光片表面粗糙度的加工方法
43、一种制作异形硅单晶抛光片的方法
44、一种硅抛光片边缘加工工艺
45、一种树脂结合剂混凝土研磨抛光片及其配方技术
46、一种抛光精度高的抛光片
47、一种锑化镓单晶抛光片的清洗方法
48、一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液
49、一种纳米二氧化硅抛光片水解溶胶凝胶法制作方法
50、一种抛光片载片盒的清洗工艺
51、一种锗单晶抛光片的清洗方法
52、一种改性纳米金刚石及其抛光液和抛光片
53、纳米二氧化硅薄膜基抛光片及其配方技术
54、一种减少单晶硅晶圆抛光片化学灼伤的有蜡抛光方法
55、一种外延前抛光片清洗后的快速干燥方法
56、一种ic级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法
57、一种贴硅抛光片模板的方法
58、一种单晶硅晶圆抛光片的清洗方法
59、一种采用挤压方式去除igbt用硅晶圆抛光片边缘氧化膜的方法
60、一种保持硅晶圆抛光片少数载流子高寿命的抛光工艺
61、一种柔性抛光片及其制造方法
62、一种盛载单晶硅晶圆抛光片片盒的清洗工艺
63、一种高局部平整度重掺硅晶圆抛光片的无蜡抛光工艺
64、一种改善表面颗粒的重掺砷单晶硅晶圆抛光片的抛光工艺
65、一种提高单晶硅晶圆抛光片保质期的包装工艺
66、使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺
67、采用划磨方式去除igbt用抛光片晶圆边缘氧化膜的方法
68、igbt用区熔单晶硅双面抛光片的有蜡贴片工艺
69、用于抛光机的抛光片
70、8英寸轻掺硅抛光片的抛光工艺
71、硅抛光片的慢提拉红外干燥工艺
72、超薄区熔硅抛光片的抛光工艺
73、超薄区熔硅抛光片的无蜡抛光工艺
74、一种聚氨酯抛光片的制作方法
75、超高电阻率硅抛光片的抛光工艺
76、高平整度区熔硅抛光片的抛光工艺
77、一种薄型硅单晶抛光片加工方法
78、扩散抛光片单侧主扩散制作方法
79、一种低粗糙度硅抛光片的加工方法
80、一种极细纤维抛光片制造方法
81、多孔聚氨基甲酸乙酯抛光片
82、一种单晶硅抛光片热处理工艺
83、集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法
84、深结硼衬底扩散抛光片
85、固着式磨料抛光片
86、研磨用聚氨酯泡沫抛光片及其制造方法
 
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