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晶须生长工艺技术加工制造方法-利来国际登录

发布时间:2020-05-17   作者:admin   浏览次数:135

1 一种原位生长磷酸铁锂晶须的配方技术及用途 
   简介:本技术提供了一种原位生长磷酸铁锂晶须的配方技术及用途;所述方法包括以下步骤:1)向磷酸铁中加入稀盐酸溶液,完全溶解磷酸铁后制得磷酸铁的盐酸稀释液;2)再将磷酸铁锂浸入磷酸铁的盐酸稀释液中浸渍,随后冷冻干燥;3)将冷冻干燥好的磷酸铁锂放入还原气氛条件下低温烧结;4)将低温烧结烧结后的磷酸铁锂浸入配置好的可溶性锂盐溶液中浸渍,随后冷冻干燥,得到前驱体;5)前驱体在还原气氛条件下补碳源高温烧结,即可在现有磷酸铁锂颗粒上生长出密集且均匀分布的针状磷酸铁锂晶须。晶须长度范围为0.1‑10um,直径范围为10‑100nm。本技术解决了在不破坏磷酸铁锂材料原本结构的情况下原位生长磷酸铁锂晶须难的问题,显著改善材料循环稳定性。
2 一种原位生长高长径比莫来石晶须的配方技术 
   简介:一种原位生长高长径比莫来石晶须的配方技术,涉及一种莫来石晶须的配方技术。本技术是要解决现有的制备莫来石晶须的方法大多需要高温(>900℃)烧制,且长径比较低的技术问题。本技术:一、铝溶胶的制备;二、硅溶胶的制备;三、水热;四、冷冻和冷冻干燥;五、热处理。本技术的水热体系中可形成纳米级纤维状物质,可降低热处理过程中莫来石晶须生长所需要的能量,进而降低莫来石晶须的制备温度;本技术通过水热与热处理制备的莫来石晶须,可在低反应温度下制备出高长径比的莫来石晶须的;本技术的配方技术具有反应温度低、重复性好、产率高等优点。
3 一种原位生长氧化铝晶须增强补韧锆铝复合陶瓷材料及其配方技术 
   简介:本技术提供了一种原位生长氧化铝晶须增强补韧锆铝复合陶瓷材料及其配方技术,主要包括以机械法加工的亚微米α氧化铝和单斜氧化锆为基体的复合材料,掺杂稀土添加剂和少量ca‑mg‑zn‑si体系助烧剂组成的锆铝复合陶瓷材料,通过磨料、干燥、陈腐、成型和烧成等工艺制成,本技术烧成温度低、能够避免外添加纤维或晶须带来的分散不均匀问题,以及相界面结合度差问题。
4 一种莫来石晶须低温生长增韧型磷酸铝基高温胶配方技术 
   简介:一种莫来石晶须低温生长增韧型磷酸铝基高温胶配方技术。其包括利用氢氧化铝粉、高岭土粉和四水合钼酸铵粉预制晶须生长前驱体,将氧化铝粉、硅粉、碳化硼粉和玻璃粉的混合制备填料,以氢氧化铝和磷酸的反应溶液作为胶溶液,最后将前驱体、填料及胶溶液混合制备胶黏剂等步骤。本技术效果:该高温胶在700℃即可原位生长出莫来石晶须而得到强韧化,使其粘结性能在700℃~1300℃范围内得到极大的改善。尤其在1100℃处理后,该胶黏剂表现出优异的粘结效果,与无晶须生长的空白样对比,其粘结强度提高了79.88%,达到49mpa,断裂位移提高了近164%。此外,该高温胶还表现出较高的抗损伤容限,充分表明其有较高的使用安全性。
5 一种原位生长氧化铝晶须增强熔融石英雷达天线罩/天线窗的配方技术及应用 
   简介:本技术提供了一种原位生长氧化铝晶须增强熔融石英雷达天线罩/天线窗的配方技术,是通过以硫酸铝为原材料,己二胺为模型剂,制备具有特定分子结构导向的al2o3粉末。引入氧化钇粉末作为烧结助剂,在高温下原位生成al2o3晶须。al2o3晶须比表面积大,本身具有极高的力学性能。作为增强材料,可有效地增大与熔融石英的接触面积,提高增强体与陶瓷基体的界面结合性能。在高温工作环境下,al2o3晶须性能稳定,起到桥接基体微裂纹的作用,提高雷达天线罩/天线窗的高温性能及抗热震性能。
6 氟石膏渣生长硫酸钙晶须的方法及硫酸钙晶须 
   简介:本技术提供一种氟石膏渣生长硫酸钙晶须的方法及硫酸钙晶须,涉及硫酸钙晶须制备领域。以氟石膏渣为原料,对其进行研磨后与水混合得到浆料。在浆料中加入可溶性碳酸盐,搅拌反应后过滤得到第一滤液和第一滤渣。在第一滤渣中加入酸液,搅拌反应后过滤得到第二滤液和第二滤渣。将第一滤液和第二滤液混合得到硫酸钙胶体溶液。在硫酸钙胶体溶液中加入晶型助长剂,水热反应后静置反应,然后干燥得到硫酸钙晶须。该方法能够将废弃的氟石膏渣进行资源再利用,得到高附加值的硫酸钙晶须。配方技术稳定可靠,获得的硫酸钙晶须纯度高,长径比大,市场应用前景广阔。
7 自生长氮化硅晶须增强雷达天线窗/天线罩及其配方技术 
   简介:本技术涉及一种自生长si3n4晶须增强雷达天线窗/天线罩及其配方技术,包括步骤:s1:将sio2f预制体升温后保温,再冷却;s2:将si3n4与y2o3混匀后倒入pva水溶液中,得混合溶液;s3:将经s1处理的预制体置于混合溶液中,加压后保压,再干燥;s4:之后放入硅溶胶中,加压浸渍后干燥;s5:之后进行升温和保温处理,再冷却;s6:轻敲经s5处理的预制体至表面浮凸物质脱落,称重,测算密度;s7:重复s3‑s6,至相邻两次密度差不超过0.05g/cm3。该雷达天线罩抗弯强度>250mpa,使用温度高达1500℃,抗热震性能好,能满足中高马赫飞行器对雷达天线窗/天线罩的使用需求。
8 一种在碳化硅纤维表面生长氧化锌晶须的方法及碳化硅纤维 
   简介:本技术涉及一种在碳化硅纤维表面生长氧化锌晶须的方法及碳化硅纤维,先在0‑20℃水浴条件下,向锌盐溶液中滴加碱液构成混合液,并搅拌;然后将水浴温度调节至20‑40℃,向混合液中加入氟碳类表面活性剂,恒温搅拌30‑120min,获得前驱液;在碳化硅纤维或碳化硅纤维织物的表面复合氧化锌薄膜或纳米氧化锌粒子;将碳化硅纤维或碳化硅纤维织物浸入到前驱液中,密封后在50‑200℃条件下保温1‑12h后,取出,清洗,干燥,获得氧化锌晶须/碳化硅纤维复合材料。本技术可以在大面积基质上快速制备高取向、高纯度的纳米氧化锌晶须;而且在整个过程对碳化硅纤维及其织物性能没有损伤,在有效改善碳化硅纤维的介电性能的同时,也有助于提高碳化硅纤维与树脂的界面结合性能。
9 莫来石晶须原位生长自增韧型磷酸铝基耐高温胶配方技术 
   简介:一种莫来石晶须原位生长自增韧型磷酸铝基耐高温胶配方技术。其以磷酸和氢氧化铝反应液为胶基体,以硅粉、二氧化硅粉、氧化铝粉和碳化硼粉为添加剂,以氟化铝粉为晶须生长催化剂,通过搅拌混合等步骤制备成胶黏剂。本技术效果:基于莫来石晶须在1100℃~1500℃的温度范围内生长,该耐高温胶在此温度范围处理后表现出较高的断裂韧性,粘结强度明显优于无晶须生长的磷酸铝盐耐高温胶,且具有高抗热循环特点。尤其在在1300℃处理后,该耐高温胶的粘结性能得到了最大的改善,在晶须拉拔、晶须拔出和晶须架桥的协同作用下,其粘结强度和断裂韧性相对于常规的磷酸铝基耐高温胶分别提高了75%和156%。
10 碳化硅晶须直掺与原位生长协同增韧型耐高温胶配方技术 
   简介:一种碳化硅晶须直掺与原位生长协同增韧型耐高温胶配方技术。其以碳黑和硅粉为原料,以铁和铜为催化剂,预先制备直掺用碳化硅晶须;以磷酸和氢氧化铝反应液为胶基体,以硅粉、二氧化硅粉和碳化硼粉为添加剂,以铁粉和铜粉为晶须生长催化剂,以预制的碳化硅晶须为强化相,通过搅拌混合等步骤制备成胶黏剂。本技术效果:耐高温胶具有明显的断裂韧性、优于传统磷酸铝盐耐高温胶的粘结强度及较高的热循环使用寿命等特点;通过直接掺加碳化硅晶须,该类耐高温胶的粘结强度和断裂韧性在全温度处理范围内都得到了提高;通过碳化硅晶须的原位生长,该类耐高温胶在高温处理后获得最大程度的增韧,尤其是在1300℃处理后,其断裂韧性提高了近100%。
11 一种金属氮化物晶须的生长方法
12 制备高强度高孔隙率原位生长硼酸镁晶须陶瓷的方法
13 一种基于微纳米针锥结构抑制锡晶须生长的方法
14 一种生长高品质碳化硅晶须的方法
15 在富铝纤维毡上原位生长莫来石晶须的方法
16 一种快速评价sn基钎料sn晶须生长倾向的方法
17 一种外延生长硼酸镍纳米晶须连接镍的方法
18 一种能够抑制癌细胞生长的可降解磷镁晶须医用材料
19 真空浸渍结合冷冻干燥原位生长莫来石晶须的方法
20 一种无v<base:sub>2</base:sub>o<base:sub>5</base:sub>在干压条件下用煤矸石和氢氧化铝原位生长制备莫来石晶须的方法
21 制备高孔隙率原位生长硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法
22 一种金属材料表面自生长晶须纤维的配方技术
23 一种金属氧化物纳米晶须/si复合材料及其催化生长方法
24 原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法
25 工业副产石膏离解及结晶生长硫酸钙晶须的方法
26 一种观察铁矿粉颗粒表面铁晶须生长过程的方法和装置
27 镁粉表面原位生长制备氧化镁晶须/镁复合粉末的方法
28 一种促进钛酸钾晶须生长的方法
29 原位生长纳米羟基磷灰石晶须粉、多孔陶瓷及制法和应用
30 原位生长碳化钽晶须增韧氧化铝基陶瓷刀具材料及其制备工艺
31 原位生长二硼化锆晶须增韧陶瓷刀具材料及其一体化制备工艺
32 原位生长碳氮化钛晶须增韧氮化硅基陶瓷刀具材料及其制备工艺
33 原位生长碳化钽晶须材料及其配方技术
34 铝基内原位生长制备尖晶石晶须/铝复合块体材料的方法
35 铝粉表面原位生长制备硼酸铝晶须/铝复合粉末的方法
36 一种碳纤维及其织物表面生长氧化锌晶须的方法
37 原位生长碳氮化钛系晶须增韧氮化硅基陶瓷刀具材料粉末及其制备工艺
38 原位生长碳氮化钛系晶须材料及其配方技术
39 一种锡晶须生长的快速测试方法和系统
40 一种适合氮化硅晶须生长的方法
41 具有最小化锡晶须生长性能或特性的锡电沉积物
42 原位生长碳化钛晶须增韧氧化铝基陶瓷刀具材料粉末及其制备工艺
43 原位生长碳氮化钛晶须增韧氧化铝基陶瓷刀具材料粉末及其制备工艺
44 一种适合sic晶须生长的方法
45 在电子部件的锡表面中保持可焊性及抑制晶须生长的方法
46 自生长磷酸钙晶须强韧多孔生物陶瓷材料的配方技术
47 在锡的电沉积物中最小化晶须生长
48 生长定向晶须列阵的方法和装置
49 碳还原剂控制氧化锌晶须生长工艺方法
 
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