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金属氮化硅生产工艺技术-利来国际登录

发布时间:2019-10-14   作者:admin   浏览次数:179

1、一种用于钢水氮合金化处理的硅基氮化合金及其生产工艺
    [简介]:本技术公开了一种用于钢水氮合金化处理的硅基氮化合金的制备方法,按金属硅30-80%,单晶硅0.5-20%,多晶硅0.5-30%,钒合金或金属钒0.5-5%,铌合金或金属铌0-10%及铁10-35%混合在真空氮化炉中,在微波场以及氮气条件下,在800...
2、一用于钢水氮合金化处理的硅基氮化合金及其生产工艺
    [简介]:本技术是一种镧钇掺杂氮化硅纳米线的制备方法,具体是:以高纯si粉和高纯金属镧(la)粉或金属钇(y)粉作为初始原料,采用液氮低温球磨制备掺杂可控的纳米晶硅粉;经过后续氮化工艺处理,得到高纯、掺杂可控的α相氮化硅纳米线...
3、一种掺杂镧钇氮化硅纳米线的制备方法
    [简介]:本技术主要是对现有的直接氮化法进行改进,使金属硅粉与氮气在完全密闭的反应装置中发生反应,反应气体使用氮气与惰性气体(如氩气)的混合气体,惰性气体在反应过程中具有两种作用:第一,充当保护气体,防止硅粉的氧化;第二...
4、一种改进的直接氮化法制备α相和β相氮化硅粉体的方法
    [简介]:本技术是硅基iii族氮化物薄膜高阻寄生导电层及生长方法,其结构包含硅衬底和硅基iii族氮化物薄膜,其中硅基iii族氮化物薄膜包含氮化铝成核层、过渡层和氮化镓层,其中氮化铝成核层位于硅衬底和过渡层之间。生长方法:1)采用...
5、含高阻寄生导电层的硅基iii族氮化物薄膜及生长方法
    [简介]:本技术公开了一种制备led用硅基氮化物或氮氧化物荧光粉的方法,包括以下步骤:按照化学通式m2si5n8:eu2 mca,sr,ba或者ca,sralsin3:eu2计量,配置金属盐水溶液;配置正硅酸乙酯乙醇溶液,将正硅酸乙酯溶液缓慢地加入金...
6、一种制备led用硅基氮化物或氮氧化物荧光粉的方法
    [简介]:本技术公开了一种沟槽型双层栅mos中的多晶硅之间的氮化膜形成方法,包括:1)沟槽刻蚀;2)介质层生长;3)生长第一层多晶硅;4)第一层多晶硅进行第一步反刻蚀;5)对第一层多晶硅进行光刻及第二步反刻蚀;6)淀积氮化膜;7)淀积hd...
7、沟槽型双层栅mos中的多晶硅之间的氮化膜形成方法
[简介]: 一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法,包含:在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄iii族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层;将硅衬底加热,将包含有铟组分的薄iii族氮化物合金层...
8、利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法
[简介]: 一种多元铝硅碳氮化物金属陶瓷及其制备方法和用途,是一种内生多元铝化物和硅化物-镍铁基合金与碳氮化物复合的金属陶瓷,其成分包括按原子百分数,记作at.%:c:13.0-24.0at.%,cr:13.0-26.0at.%,al:1.0-5.0at.%,si:2.0-8...
9、多元铝硅碳氮化物金属陶瓷及其制备方法和用途
    [简介]:本技术涉及等离子增强循环沉积氮化金属硅膜的方法,具体涉及在等离子环境中按照循环膜沉积使用金属氨基化物、硅前体和氮源气体作为前体形成氮化金属硅膜的方法。在衬底上形成氮化金属硅膜的沉积方法包含以下步骤:脉冲加入...
10、等离子增强循环沉积氮化金属硅膜的方法
    [简介]:本技术公开了一种氮化镓硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管,包括上、下接触电极,还包括透明导电薄膜、氮化镓、p型硅纳米孔柱阵列、p型单晶硅层以及金属导电薄膜层,其中p型硅纳米孔柱阵列覆盖在p型单晶硅层...
11、氮化镓硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管及其制备方法
    [简介]:本技术提供一种多元铝硅碳氮化物金属陶瓷,这是一种内生多元铝化物和硅化物-镍铁基合金与碳氮化物复合的金属陶瓷。其成分原子百分数,记作at.%为:c:2.0-20.0at%,cr:5.0-40.0at.%,al:1.0-25.0at.%,si:2.0-25.0at%,n:1.0...
12、激光熔覆用耐磨抗热腐蚀多元铝硅碳氮化物金属陶瓷
    [简介]:本技术公开了一种用于led的硅基氮化镓外延层转移方法,包括以下步骤:将有氮化镓膜层的硅基与金属箔用粘合剂粘合或在其上溅射纳米粒子防护层;在金属箔或纳米粒子防护层的表面镀上防护性金属镀层;在防护性金属镀层表面涂...
13、一种用于led的硅基氮化镓外延层转移方法
    [简介]:本技术公开了一种球形硅基氮化合物荧光材料的合成方法。该方法的步骤如下:碱土金属和稀土金属的氨化溶解;氨化金属同球形非晶si3 xn4-x均匀混合;将均混反应物装入经氮气吹扫的合成炉中,得到合成产物;将处理后的产物以10...
14、一种球形硅基氮化合物荧光材料的合成方法
[简介]: 一种半导体存储器件可以包括横过器件的场隔离区并且横过器件的有源区的第一导电线,其中,第一导电线能包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在第一和第二导电图案之间的金属硅氮化物图案并且能配置为在金属硅氮化物图...
15、包括金属-硅-氮化物图案的半导体器件及其形成方法
[简介]: 一种多层金属-氮化硅-金属电容器,其特征在于,具有若干层低k值介质和氮化硅的混合层,每一层混合层中包括:在水平方向上交替分布的若干低k值介质区和若干高k值氮化硅区;每个低k值介质区上具有第一金属槽,所述第一金属槽中...
16、一种多层金属-氮化硅-金属电容的制作方法
    [简介]:本技术公开一种多层金属-氮化硅-金属电容器,其特征在于,具有若干层低k值介质和氮化硅的混合层,每一层混合层中包括:低k值介质,所述低k值介质的底部分布有若干高k值氮化硅区;所述低k值介质上具有第一金属槽和若干第二金...
17、一种多层金属-氮化硅-金属电容及其制作方法
[简介]: 一种多层金属-氮化硅-金属电容器,其特征在于,具有若干层低k值介质和氮化硅的混合层,每一层混合层中包括:在水平方向上交替分布的若干低k值介质区和若干高k值氮化硅区;每个低k值介质区上具有第一金属槽,所述第一金属槽中...
18、一种多层金属-氮化硅-金属电容及其制作方法
    [简介]:本技术公开了一种自组装制备内嵌金属钨量子点氮化硅介质膜浮栅层的方法。本发明采用磁控溅射的方法在室温下制备内嵌高密度金属钨量子点的氮化硅绝缘介质膜,作为非挥发性存储器的浮栅结构。溅射靶材由氮化硅靶材其上摆放...
19、一种自组装制备内嵌金属钨量子点氮化硅介质膜浮栅层的方法
[简介]: 一种去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法,去除氮化硅侧墙的方法包括:提供硅基底,硅基底上形成有栅极,栅极周围具有氮化硅侧墙,硅基底内形成有源区、漏区,且源区和漏区位于栅极的两侧;在栅极上以及基底的源区、漏...
20、去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法
    [简介]:本技术涉及一种红色硅铝氧氮化物荧光材料及其制备方法,该荧光材料同时含有硅、铝、氮、氧元素,及部分起电荷补偿作用的碱金属和碱土金属元素和作为发光中心的稀土离子eu2 ,该蓝光激发的白光led用红色荧光粉的结构式可表示...
21、一种红色硅铝氧氮化物荧光材料及其制备方法
    [简介]:本技术提供一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法,其步骤包括:1)在硅片衬底上首先利用等离子体增强型化学气相沉积方法(pecvd)沉积高k值氮化硅薄膜;2)通过光刻和刻蚀去除非mom区域的氮化硅;3)沉积低k值介质层;4)化学...
22、一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法
    [简介]:本技术提供一种金属-氮化硅-金属电容的制造方法,其步骤包括:1)沉积低k值介质层;2)通过光刻和刻蚀形成mom区域;3)利用等离子体增强型化学气相沉积方法(pecvd)沉积高k值氮化硅;4)化学机械研磨去除多余氮化硅,形成低k值介...
23、一种金属-氮化硅-金属电容的制造方法
[简介]: 一种去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法,去除氮化硅侧墙的方法包括:提供硅基底,所述硅基底上形成有栅极,所述栅极周围具有氮化硅侧墙,所述硅基底内形成有源区、漏区,且所述源区和漏区位于所述栅极的两侧;在所述...
24、去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法
[简介]: 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管,在电阻率为4-20ωcm的p型单晶硅片或ito玻璃衬底上淀积a-sinx薄膜,薄膜厚度在40-100nm之间,在a-sinx薄膜上再镀有薄膜金属电极;p型单晶硅片的背面镀有另一电极,ito本身构成另一电极...
25、掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管及制备方法
    [简介]:本技术公开一种纳米氮化硅和氮化硼增强的碳氮化钛基金属陶瓷材料,在以碳氮化钛tic,n为主相及金属镍、钴为粘结相的基材中添加增强相,该增强相为纳米氮化硅和纳米氮化硼中至少一种,该增强相体积含量为基材0.5~2.5%。制备...
26、一种纳米氮化硅和氮化硼增强的碳氮化钛基金属陶瓷材料
    [简介]:本技术介绍了一种金属-氮化硅-金属mom电容的制作方法。通过形成低k值介质和高k氮化硅的混合层,再利用传统工艺的光刻蚀刻在低k值介质和高k氮化硅中形成金属槽并填充金属,在高k值材料氮化硅区域实现了高性能mom电容器结...
27、一种金属-氮化硅-金属电容的制作方法
[简介]: 提供了一永久性硅氧化物氮化物硅氮化物氧化物硅sonsnos存储器。该sonsnos存储器包括堆叠在衬底通道上的第一和第二绝缘层,分别形成在第一绝缘层之上和第二绝缘层之下的第一和第二介电层,插入在第一和第二介电层...
28、永久性硅氧化物氮化物硅氮化物氧化物硅存储器
    [简介]:本技术公开了一种低温制备氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的方法,以sicl4、nan3和金属钠为原料,调控反应物配比,在400-500℃下反应,产物经过洗涤、过滤和干燥,即可分别得到氮化硅si3n4纳米线和纳米带粉体材料。产物主要是β...
29、氮化硅纳米线和纳米带粉体材料生产工艺
    [简介]:本技术公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法,包括如下步骤:选择硅衬底;采用金属有机物汽相外延方法,在硅衬底上生长一层铝;在硅衬底上生长铝后生长一层氮化铝成核层;在该氮化铝成核层上生长铝和氮化铝的超晶格;在...
30、在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法
[简介]: 一种镁合金表面制备钇氮化硅复合涂层材料的方法,涉及镁合金表面复合涂层材料。提供膜厚可控,具有良好抗腐蚀性能的一种镁合金表面制备钇氮化硅复合涂层材料的方法。基体前处理;靶材预溅射;直流溅射沉积过渡层金属y膜;射...
31、一种镁合金表面制备钇氮化硅复合涂层材料的方法
    [简介]:本技术涉及一种氮化硅结合碳化硅抗热震浇注料。该浇注料由氮化硅5~20%、黑碳化硅10~30%、绿碳化硅5~20%、板状刚玉20~30%、白刚玉15~30%、活性氧化铝3~12%、金属铝粉0.5~3%、耐热钢纤维1~5%、金属硅粉2~8%、铝酸盐水泥3~6%组成。该...
32、氮化硅结合碳化硅抗热震浇注料生产工艺
[简介]: 一种原位自生氮化铝和镁二硅增强镁基复合材料及其制备方法,所述复合材料中,镁合金基体的重量百分比含量为64%-97.6%,同时含有aln和mg2si两相陶瓷颗粒重量百分比含量为2.4%-36%。镁合金基体中铝重量百分比含量是0%-9%,余...
33、原位自生氮化铝和镁二硅增强镁基复合材料及其制备方法
    [简介]:本技术公开了一种钛合金和氮化硅陶瓷的钎焊连接方法,将由金属铜和金属钛组成的焊膏均匀涂抹在连接界面上,在保护气氛下加热进行钎焊,可实现钛合金和si3n4陶瓷的连接。本发明的技术方案中,成功实现钛合金和si3n4陶瓷的连...
34、一种钛合金和氮化硅陶瓷的钎焊连接方法
    [简介]:本技术公开了碳包覆氮化硅钛合金高容量负极材料的制备方法,所述制备方法是将硅、钛和其他金属非金属元素熔炼制得成分均一的合金,在搅拌球磨机中球磨成无定型合金粉末后,和氮源混合均匀,通过一次反应,在保护气氛或真空中...
35、碳包覆氮化硅钛合金高容量负极材料的制备方法及应用
[简介]: 本实用新型涉及一种铝液测温用保护管,特别涉及一种双层结构氮化硅陶瓷保护管。该保护管包括内层,内层为采用金属或氧化铝或碳化硅或反应烧结氮化硅材料制成的内管,在内层外侧附加一层气压烧结氮化硅陶瓷外层。本实用新型...
36、一种双层结构氮化硅陶瓷保护管
    [简介]:本技术涉及半导体材料技术领域,是在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法。该方法包括步骤:a首先在硅衬底上用金属有机物化学气相淀积工艺生长一层缓冲层;b然后用金属有机物化学气相淀积生长一层结晶层;c用卤化物...
37、在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
[简介]: 一种由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶,其特征在于,具有由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点...
38、由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶及其制造方法以及该溅射靶-背衬板组件及其制造方法
[简介]: 本实用新型涉及一种金属熔炼铸造工具,特别涉及一种螺纹连接的氮化硅除气转子。该工具包括叶轮和转杆;转杆采用多节短转杆螺纹连接而成,最下端短钻杆与叶轮螺纹连接,叶轮底部有呈辐射状径向设置的叶片。本实用新型实现了生...
39、一种螺纹连接的氮化硅除气转子
[简介]: 用气流床反应器排出氮气生产氮化硅结合碳化硅制品的隧道窑窑车;窑车采用四轮结构,车轮采用普通矿车或隧道窑窑车标准车轮结构,车身用铸铁或钢材制作,车身顶部与隧道窑隧道底线高度一致,车身顶部砌筑耐火隔热材料,形成与...
40、用气流床反应器排出氮气生产氮化硅结合碳化硅制品的隧道窑窑车
    [简介]:本技术提供了一种硅氧氮化物荧光粉,通式为:baecfdgsi3 aal,ga,in3 bo4 cn5 d,其中-2<a<2,-2<b<2,-2<c<2,-2<d<2,0≤f≤0.30,0≤g≤0.5,2e fvc gvd=2,e>0,vc,vd代表c,d的价态;c为选自ce、pr、nd、sm、eu、**、tb、dy、ho、er、tm、yb...
41、一种硅氧氮化物荧光粉及其制备方法
[简介]: 一种cvd淀积tisin薄膜的集成电路制造工艺,采用化学汽相淀积方法,用he2携带含ti的化学物质tdma和含si的3甲基硅烷物质,或者sich4化学物质,通过热分解淀积一层tisin薄膜,并在原位进行h2-n2射频等离子处理。用这种方法淀积...
42、采用含钛有机金属材料的化学汽相淀积含硅氮化钛的工艺
    [简介]:本技术涉及一种硅102衬底上生长的非极性a面氮化物薄膜,包括一硅衬底、依次生长在其上的金属层、ingaaln初始生长层和第一ingaaln缓冲层,其特征在于:所述的硅衬底为采用102面或偏角的si衬底。该硅衬底上生长的非极性1...
43、硅102衬底上生长的非极性a面氮化物薄膜及其制法和用途
    [简介]:本技术涉及一种硅衬底上生长的非极性1120a面氮化物薄膜,包括一硅衬底、依次生长在其上的金属层、ingaaln初始生长层和第一ingaaln缓冲层,其特征在于:所述的硅衬底为采用100面、110面或偏角的si衬底。该硅衬底上生长的...
44、硅衬底上生长的非极性a面氮化物薄膜及其制法和用途
[简介]: 氮化硅锰合金的微波合成方法,以2.45ghz微波为热源,以硅铁、金属锰、工业硅为原料,以干原料份质量之和为100计,74份硅含量75~77%硅铁、19份锰含量99.7%金属锰、7份硅含量99.8%工业硅,其粒度均≤80目,原料干混匀加入总原料量2...
45、氮化硅锰合金的微波合成方法
    [简介]:本技术公开了一种含氧化锆颗粒与氮化硅晶须的碳化钨复合材料及制备方法,该碳化钨复合材料按下述质量百分比配比原料粉末:wc60~94%,3y-zro21~20%,α-si3n44.6~17.6%,y2o30.1~1.2%,al2o30.1~1.2%,其中y2o3 al2o3≥0.4%...
46、含氧化锆颗粒与氮化硅晶须的碳化钨复合材料及制备方法
    [简介]:本技术一种在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:1选择一大失配衬底;2在大失配衬底上生长氧化物缓冲层,氧化物缓冲层可以缓解衬底与氮化镓薄膜之间的晶格失配,阻隔金属镓与衬底反应;3在...
47、在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
[简介]: 一种形成栅极的方法,此栅极是一多晶硅化金属栅极。此方法至少包括提供一栅极氧化层在一衬底上。然后,沉积一多晶硅层在栅极氧化层上。接着,进行一氮化工艺形成一粘合层在多晶硅层的表面上。之后,再依序地沉积一阻挡层和一金...
48、使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程
    [简介]:本技术涉及一种模塑制品,其包括具有牢固粘附的剥离层的基底,其中所述剥离层包含92-98重量%氮化硅si<>3<>n<>4<>以及2-8重量%二氧化硅sio<>2<>,并且其中所述剥离层具有≤8重量%的总氧含量和根据...
49、高硬度的含氮化硅剥离层
[简介]: 一种切削工具技术领域的硼化钛氮化硅纳米多层涂层及其制备方法,纳米多层涂层由tib2和si3n4两种材料交替沉积形成纳米量级的多层结构,在多层结构中的每一个双层结构,tib2层的厚度为2~8nm,si3n4层厚为0.2~0.8nm。制备方法...
50、硼化钛氮化硅纳米多层涂层及其制备方法
    [简介]:本技术提供了一种氮化硅坩埚的制备方法,包括以下步骤:a将由氮化硅粉和助烧剂组成的混合粉体进行造粒、成型,得到坩埚生胚,所述助烧剂为二氧化硅;b将所述坩埚生胚进行气压烧结,得到氮化硅坩埚。本发明采用二氧化硅为助烧...
 
301、形成氮化硅基薄膜或碳化硅基薄膜的方法
302、形成氮化硅基薄膜或碳化硅基薄膜的方法
303、具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存
304、具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存
305、氮化硅的选择性蚀刻
306、一种氮化硅电热元件
307、改进的氮化硅非易失存储器及其实现方法
308、一种低介电常数、高强度多孔氮化硅透波陶瓷的制备方法
309、用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物
310、一种在半导体器件中提高氮化硅薄膜拉应力的方法
311、一种氮化硅多孔陶瓷组方及制备方法
312、检测浅槽隔离直接化学机械抛光氮化硅残留的方法及结构
313、sonos器件的氮化硅陷阱层橄榄形能带间隙结构及制造方法
314、高纯度高密度单晶氮化硅纳米阵列的制备方法
315、具有氮化硅粘合剂的基于碳化硅的烧结耐火材料
316、全自动大型平板pecvd氮化硅覆膜制备系统
317、氮化硅发热体
318、一种全自动大型平板pecvd氮化硅覆膜制备系统
319、采用13.56mhz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法
320、用于制作碳氮化硅点火器的专用模具
321、一种利用凝胶注模法制备氮化硅多孔陶瓷的方法
322、碳化硅、氮化镓半导体器件玻璃钝化技术
323、多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅膜烘烤装置
324、多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂装置
325、一种多晶硅还原炉用氮化硅陶瓷环的制备方法
326、一种高可靠性大尺寸氮化硅陶瓷材料的制备方法
327、氮化硅即热式电热水器
328、用于制备受控应力的氮化硅膜的方法
329、不锈钢与氮化硅陶瓷的连接方法及制得的连接件
330、用于制备氮化硅间隔物结构的方法
331、自蔓燃制备低氧含量高α-相氮化硅粉体的方法
332、低湿蚀刻速率的氮化硅膜
333、低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的方法及装置
334、低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的装置
335、氮化硅湿法腐蚀方法
336、制备氮化硅叠层的方法
337、氮化硅薄膜溅射源装置
338、无氧溶胶-凝胶反应制备致密碳氮化硅陶瓷的方法
339、具有氮化硅-氧化硅介电层的非挥发性记忆元件
340、用于溅镀张力氮化硅膜的系统和方法
341、用于溅镀张力氮化硅膜的系统和方法
342、氮化硅多孔陶瓷的制备方法
343、等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法及应力氮化硅膜的形成方法
344、氮化硅膜的干刻蚀方法
345、制造太阳能电池可用的氮化硅钝化层的方法
346、一种氮化硅电热元件
347、具有厚氧化硅和氮化硅钝化层的光电池及其制造方法
348、一种氮化硅陶瓷基钨钼丝发热体
349、一种采用氮化硅si3n4和掺磷氧化硅psg复合薄膜隔离技术的igbt功率器件及其制造工艺
350、去除缺陷膜层及形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法
51、镀氮化钛碳化硅纤维生产工艺
52、镀氮化钛碳化硅纤维生产工艺
53、一种无水泥的原位氮化硅结合碳化硅预制件及制备方法
54、自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料及其制备方法
55、氮化硅湿法腐蚀方法
56、可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作方法
57、一种氮化硅陶瓷金属化材料及其制备方法与应用
58、含金属硅粉的氮化硅陶瓷材料凝胶注模成型方法
59、氮化硅只读存储器及其字线的制造方法
60、硅衬底ⅲ族氮化物外延生长
61、一种多孔陶瓷表面氮化硅基涂层的制备方法
62、一种带熄火保护功能的氮化硅点火器
63、带熄火保护功能的氮化硅点火器
64、一种高纯氮化硅的回收方法
65、集成在前道工艺中的硅片背面氮化硅成长方法
66、含氧化铝颗粒与氮化硅晶须的碳化钨复合材料及制备方法
67、在双金属多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤
68、氮化硅复合发热体及其制作方法
69、一种生产塞隆氮化硅复相结合碳化硅制品的方法
70、具有结晶碱土金属硅氮化物氧化物与硅界面的半导体结构
71、一种硅基氮化物红色荧光体及其制备方法
72、一种用于铜工艺无边导通孔的自对准氮化硅覆层方法
73、一种可降低漏电流的氮化硅制作方法
74、氮化硅质基板、及使用其的电路基板以及电子装置
75、氮化硅质泡沫陶瓷及其制备方法
76、具有较高可靠性和安全性的氮化硅发热体的制作方法
77、一种氮化硅发热体的制作方法
78、氮化硅发热体的制作方法
79、基于氧氮化物焦硅酸盐的持久性磷光体
80、一种低电压干点型氮化硅陶瓷点火装置
81、自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体的方法
82、一种采用氮化硅si3n4和掺磷氧化硅psg复合薄膜隔离技术的igbt功率器件及其制造工艺
83、一种复相氮化物结合碳化硅泡沫陶瓷过滤器及其制备方法
84、新型半石墨化碳氮化硅砖及生产工艺
85、氮化硅质烧结体及其制造方法和使用其的耐熔融金属用构件、耐磨损用构件
86、自蔓延高温合成氮化硅铁粉末生产工艺
87、一种无添加剂燃烧合成制备亚微米级高α相氮化硅粉体的方法
88、长寿命可消耗氮化硅-二氧化硅等离子处理部件
89、金属硅氮化物或金属硅氧氮化物亚微米荧光粉颗粒及合成这些荧光粉的方法
90、热加工用氮化硅基金属陶瓷模具材料及其制备方法与应用
91、刚玉-氮化硅-碳化硅复合浇注料生产工艺
92、一种炼钢用氮化硅锰合金生产工艺
93、通过循环沉积制备金属硅氮化物薄膜的方法
94、一种以回收硅片切割锯屑制备高纯β相氮化硅粉体的方法
95、自蔓燃合成法制备高β相氮化硅棒状晶须的方法
96、碱土金属氧氮化硅发光材料及其制备方法和应用
97、氮化钛-二硼化钛-硅化钛复相材料及原位反应制备方法
98、用于金属硅氮化物、氧化物或氮氧化物的aldcvd的ti、ta、hf、zr及相关金属硅氨化物
99、氮化硼纤维织物增强氮化硅陶瓷材料的制备方法
100、一种以β-sialon陶瓷-玻璃为中间层的氮化硅陶瓷接头及其制备方法
401、氮化硅层的制作方法和自对准金属硅化物层的制作方法
402、氮化硅层的制作方法和自对准金属硅化物层的制作方法
403、制备氮化硅陶瓷发热体的凝胶注模成型工艺方法
404、氮化硅薄膜及接触刻蚀停止层的形成方法
405、化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组合物和方法
406、电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法
407、制作半导体元件的方法和选择性蚀刻氮化硅层的方法
408、具有控制应力的氮化硅膜
409、氮化硅陶瓷点火装置
410、氮化硅只读存储单元的位的读取方法
411、利用具有氨的超低压快速热退火调节氧氮化硅的氮分布曲线
412、借由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化硅膜的性质及均一性的方法
413、形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置
414、氮化硅膜生产工艺
415、应力被调节的单层氮化硅膜及其沉积方法
416、在基片处理过程中选择性蚀刻氮化硅的系统和方法
417、一种氮化硅碳化硅多孔陶瓷的制备方法
418、用于电致发光显示器的氧氮化硅钝化的稀土激活硫代铝酸盐磷光体
419、氮化硅陶瓷发热体的微波炉烧结制备方法及专用设备
420、处理包含含氧氮化硅介质层的半导体器件的方法
421、氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统
422、氮化硅的热化学气相沉积
423、胶态成型制备氮化硅耐磨陶瓷的优化设计方法
424、氮化硅层的形成方法
425、低温制作高应变等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的方法
426、氮化硅陶瓷、制备它们的硅基组合物以及它们的制备工艺
427、利用检测闸门氧化硅层中氮化物含量的半导体元件制成方法
428、氮化硅基复合烧结体及其生产方法
429、一种氮化硅陶瓷部件的微加工方法
430、相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂其使用方法和形成的结构
431、包括两个氮化硅蚀刻步骤的填充隔离槽的双后撤方法
432、高精度热压氮化硅陶瓷球轴承及其制造方法
433、制备纳米氮化硅粉体的气相合成装置
434、制备纳米氮化硅粉体的系统
435、制备纳米氮化硅粉体的气相合成装置
436、密封氮化硅过滤器的方法和密封组合物
437、除去氮化硅膜的方法
438、一种提高氮化硅陶瓷抗氧化性能的表面改性方法
439、低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺
440、一种提高氮化硅基陶瓷性能价格比的方法
441、碳化硅衬底上具有导电缓冲中间层结构的ⅲ族氮化物光子器件
442、半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管
443、氮化硅电热水器
444、氮化硅车用电热杯
445、从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
446、氮化硅电梯安全制动器
447、制造氧氮化硅的方法
448、高热导率氮化硅电路衬底和使用它的半导体器件
449、碳氮共掺法制备氮化硅的连续工艺和制得的氮化硅
450、碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件



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